Теоретический анализ эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC

На основе результатов численного моделирования проведен анализ особенностей эффекта $dU/dt$ в тиристорных структурах на основе 4H–SiC, связанных с реализацией в них недавно обнаруженного $\alpha$-механизма включения. Показано, что одним из проявлений этого механизма является катастрофическое снижение блокируемого тиристором напряжения при увеличении температуры структуры. Обсуждены практические пути устранения обнаруженного эффекта.