Исследование свойств наноструктур ZnSe/Al$_{2}$O$_{3}$, полученных методом высокочастотного магнетронного напыления

Представлены результаты исследования процесса синтеза наноструктур ZnSе/Al$_{2}$O$_{3}$ по технологии, широко применяемой в производстве интегральных схем. Показано увеличение показателя преломления, размеров областей когерентного рассеяния и уменьшение ширины запрещенной зоны с ростом толщины слоев ZnSe. Для образцов с толщиной прослойки ZnSe 9 $\mathring{\mathrm{A}}$ сделано предположение о наличии соединения ZnSeO$_{3}$ и/или комплексного соединения ZnSe $\cdot$ Al$_{2}$O$_{3}$. Мультислойные наноструктуры с толщиной прослойки селенида цинка больше 9 $\mathring{\mathrm{A}}$ содержат нанокристаллиты ZnSe кубической сингонии.