Атомно-слоевое осаждение тонких пленок на 3$D$-наноструктуры: влияние наклона стенок и аспектного отношения тренчей

Развита теоретическая модель, предсказывающая пространственный профиль пленки, выращиваемой на стенках методом атомно-слоевого осаждения. Модель учитывает возможность исходного отклонения стенок тренча от вертикали, а также динамическое изменение аспектного отношения структуры по мере роста пленки в наноразмерных тренчах. Теоретически исследована зависимость результирующей толщины и конформности пленки от параметров процесса атомно-слоевого осаждения.