Аналитическая модель атомно-слоевого осаждения тонких пленок на стенки цилиндрических отверстий с высоким аспектным отношением

Предложена теоретическая модель, предсказывающая профиль толщины пленки, выращиваемой на стенках высокоаспектного цилиндрического отверстия методом атомно-слоевого осаждения. Модель дает возможность рассчитать критическое время подачи прекурсора, необходимое для конформного покрытия стенок отверстия. Получена аналитическая формула, позволяющая оценить минимальное время подачи прекурсора в зависимости от параметров технологического процесса.