RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2018, том 88, выпуск 7, страницы 977–982 (Mi jtf5855)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Атомная и молекулярная физика

Электронные переходы при захвате электрона ионом He$^{2+}$ у атома аргона

А. А. Басалаев, Г. Н. Огурцов, М. Н. Панов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Измерены абсолютные величины полного сечения одноэлектронного захвата ионами Не$^{2+}$ в диапазоне их кинетических энергий 2–30 keV у атомов Ar. Определены абсолютные величины дифференциальных сечений рассеяния ионов Не$^{+}$, образующиеся в процессах одноэлектронного захвата и захвата электрона с ионизацией при энергии 2.2, 5.4 и 30 keV. Методом столкновительной спектроскопии на основе анализа изменений кинетической энергии Не$^{+}$ после взаимодействия определены электронные состояния образующихся ионов. Измерены дважды дифференциальные по кинетической энергии и углу рассеяния сечения образования свободных электронов. На основе расчета электронных термов системы (НеАr)$^{2+}$ исследованы каналы образования свободных электронов – прямой ионизации и захвата электрона с ионизацией. Вычисленное сечение процесса захвата с ионизацией согласуется с сечением, измеренным методом столкновительной спектроскопии.

Поступила в редакцию: 12.12.2017
Исправленный вариант: 15.01.2018

DOI: 10.21883/JTF.2018.07.46162.2594


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2018, 63:7, 947–952

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024