Влияние процесса многократного рассеяния релятивистского электронного пучка в газоплазменной среде на динамику резистивной шланговой неустойчивости

Рассмотрено влияние процесса многократного кулоновского рассеяния на пространственную динамику резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка, распространяющегося вдоль омического плазменного канала. Показано, что усиление процесса рассеяния заметно ослабляет указанную неустойчивость.