Применение ИК микроскопии для прецизионного контроля диффузионных профилей распределения примесей железа и хрома в халькогенидах цинка

Предложена методика для прецизионного, экспрессного и неразрушающего контроля поведения допанта в лазерных средах на основе халькогенидов цинка. Полученные результаты показывают возможность определения методом ИК спектроскопии в сочетании с ИК микроскопом концентрационных профилей допанта в виде ионов Fe$^{2+}$ и Cr$^{2+}$ в халькогенидах цинка в интервале концентраций от 5 $\cdot$ 10$^{17}$ до 2.5 $\cdot$ 10$^{20}$ at/сm$^{3}$ с пространственным разрешением до нескольких микрометров. Определены диффузионные профили при солегировании халькогенидов цинка несколькими примесями одновременно.