Создание совмещенной технологии спин-вентильных магниторезистивных элементов и микромагнитов

Представлены результаты исследования технологии создания магниторезистивных (МР) элементов на основе многослойных спин-вентильных МР (СВМР) Ta–FeNiCo–CoFe–Cu–CoFe–FeNiCo–FeMn–Ta-наноструктур и CoNi-микромагнитов для построения цифровых гальванических развязок и преобразователей магнитного поля. Представлены результаты экспериментальных исследований тестовых элементов на основе многослойных СВМР наноструктур с МР эффектом 7–8% и пленки из магнитотвердого материала с коэрцитивной силой до 95 Oe, сформированных на одном кристалле.