Влияние толщины пленки Pt на процессы роста зерен при ее отжиге

Пленки Pt с толщиной $h$ = 20–100 nm, нанесенные на окисленную пластину $c$-Si (100), подвергались отжигу в вакууме в режиме 500$^\circ$C/1 h, в результате которого произошли рекристаллизация и рост зерен. Одновременно с нормальным наблюдался и аномальный рост, что привело к разделению зерен на фракции, соответственно, обычных и вторичных зерен. Для $h$ = 20–40 nm вторичные зерна становятся заметно крупнее обычных, поэтому распределение латеральных размеров зерен становится бимодальным. Найдено, что скорость аномального роста латеральных размеров зерен увеличивается с уменьшением $h$, тогда как скорость нормального роста не зависит от $h$. С помощью анализа профилей рентгенодифракционных максимумов Pt(111) и Pt(222) найдено, что в результате отжига средний размер областей когерентного рассеяния $D$ увеличивается. Для пленок, подвергнутых отжигу, $D$ сублинейно увеличивается с ростом $h$, тогда как для исходных пленок наблюдается линейный рост $D$.