Влияние частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC на емкость обратносмещенного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диода

Проведено численное моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратносмещенным 4H-SiC $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-диодом в качестве емкостного элемента (в среде SILVACO TCAD). Модельный эксперимент показал, что вследствие частичной ионизации легирующих примесей в 4H-SiC время заряда оптимально сконструированного $p^{+}$–$i$–$n^{+}$-конденсатора уменьшается по сравнению с гипотетическим случаем полной ионизации приблизительно на порядок величины. Обсуждено потенциальное влияние на переходной процесс динамики ионизации примесей.