П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, М. В. Ревин, Д. С. Смотрин, П. А. Юнин, “Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 2018, том 88, выпуск 2,страницы 219

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физическое материаловедение

Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии

П. Б. Болдыревский^a, Д. О. Филатов^a, И. А. Казанцева^a, М. В. Ревин^a, Д. С. Смотрин^a, П. А. Юнин^b

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Изучено влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на механизм роста и кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений и гидридов (MOCVD). Установлены зависимости скорости и механизма роста, общей степени совершенства кристаллической структуры слоев при изменении частоты вращения от 0 до 400 rpm.

Поступила в редакцию: 24.06.2017

DOI: 10.21883/JTF.2018.02.45411.2405