Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 2018, том 88, выпуск 2,страницы 234

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Твердотельная электроника

Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m

Н. Д. Ильинская^a, С. А. Карандашев^a, А. А. Лавров^ab, Б. А. Матвеев^a, М. А. Ременный^a, Н. М. Стусь^ab, А. А. Усикова^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ООО "ИоффеЛЕД", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Приведены результаты исследований фотоэлектрических, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик фотодиодов (ФД) на основе гетероструктур InAsSbP/InAs, работающих при комнатной температуре и чувствительных в диапазоне длин волн 2.6–2.8 $\mu$m. Полученные характеристики ФД и анализ литературных данных позволяют судить о перспективности использования таких фотоприемников в ряде практических приложений.

Поступила в редакцию: 01.06.2017

DOI: 10.21883/JTF.2018.02.45414.2371