Генерация высоковольтных импульсов карбидкремниевыми дрейфовыми диодами с резким восстановлением (сравнение диодов с базой $n$- и $p$-типа)

Проведены расчеты временных характеристик импульсных генераторов с дрейфовыми диодами с резким восстановлением на основе 4$H$-SiC. Показано, что при фиксированных величинах амплитуды и начального “пьедестала” на зависимости выходного напряжения (не более 5% от амплитуды) 4$H$-SiC-диоды с базой $p$-типа уступают диодам с базой $n$-типа по быстродействию.