Расчет трекинг–силы при развитии резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка

Исследована трекинг–сила, действующая на релятивистский электронный пучок со стороны омического плазменного канала достаточно малой проводимости. Показано, что при заданном характере развития резистивной шланговой неустойчивости вдоль импульса пучка данная сила существенно зависит от частоты и инкремента нарастания рассматриваемой неустойчивости.