RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2018, том 88, выпуск 1, страницы 127–133 (Mi jtf6032)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физическая электроника

Ионная модификация автоэмиссионных свойств алмазографитовых пленочных структур

Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Изучены закономерности изменения структурно-фазовых, морфологических и автоэмиссионных характеристик нанокомпозитных алмазографитовых пленочных структур, полученных в микроволновой плазме паров этанола, в зависимости от дозы облучении ионами азота с энергией 20 keV. Установлено, что при малых дозах облучения морфологические параметры алмазографитовых структур практически не отличаются от параметров необлученных образцов. В отличие от этого автоэмиссионные свойства претерпевают существенные изменения. Причем повышение максимальных плотностей автоэмиссионных токов достигается при повышении порогов возбуждения автоэмиссии. Обнаружены оптимальные дозы ионной имплантации азота, при которых максимальные плотности автоэмиссионных токов возрастают по сравнению с необлученными структурами более, чем в 5 раз. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию поверхностных и приповерхностных свойств алмазографитовых структур в зависимости от дозы ионного облучения.

Поступила в редакцию: 07.06.2017

DOI: 10.21883/JTF.2018.01.45496.2374


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2018, 63:1, 126–132

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024