Моделирование динамики резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка, распространяющегося в омическом плазменном канале произвольной проводимости

Исследована пространственная динамика резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка в случаях, когда время зарядовой нейтрализации много больше, порядка и много меньше времени токовой компенсации. Получено, что наибольшим пространственным инкрементом нарастания указанная неустойчивость обладает в случае, когда время зарядовой нейтрализации порядка скинового времени.