М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 2017, том 87, выпуск 10,страницы 1539

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика низкоразмерных структур

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции

М. В. Дорохин^a, С. В. Зайцев^b, А. В. Рыков^a, А. В. Здоровейщев^a, Е. И. Малышева^a, Ю. А. Данилов^a, В. И. Зубков^c, Д. С. Фролов^c, Г. Е. Яковлев^c, А. В. Кудрин^a

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Исследованы оптические и транспортные свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Показана возможность получения циркулярно-поляризованной люминесценции за счет легирования квантовых точек атомами Mn или Cr, причем знак степени циркулярной поляризации зависит от вида вводимой примеси. Обнаруженный эффект объясняется особенностями излучательной рекомбинации в квантовых точках в присутствии резидентных электронов и дырок.

Поступила в редакцию: 12.07.2016

DOI: 10.21883/JTF.2017.10.44999.1989