Влияние коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в тонкопленочной структуре Cu–As$_{2}$Se$_{3}$

Показано, что использование отрицательного коронного разряда в процессе записи приводит к увеличению голографической чувствительности структуры Cu–As$_{2}$Se$_{3}$ и увеличению дифракционной эффективности как записанных голографических дифракционных решеток, так и рельефных, полученных с помощью химического травления. Использование положительного коронного разряда приводит к ослаблению процесса записи голографических решеток в структуре Cu–As$_{2}$Se$_{3}$. Обнаружено, что структура Cu–As$_{2}$Se$_{3}$ при облучении в поле отрицательного коронного разряда проявляла себя как отрицательный фоторезист. Наряду с этим наблюдалось значительное увеличение селективности растворения по сравнению с обычной записью, т. е. без коронного разряда.