Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур

Исследованы излучающие свойства ненапряженных квантово-размерных наноструктур InP/AlInAs и лазерная генерация этих наноструктур в микродисковых резонаторах, сформированных мокрым травлением. Для исходных структур было обнаружено, что их излучение обусловлено квантово-размерными InP-островками с диаметром 50–300 nm. Для микродисков мы наблюдали моды шепчущей галереи при температурах ниже 160 K. Эксперименты по измерению зависимости интенсивности фотолюминесценции мод микрорезонатора от мощности накачки, проведенные при температуре жидкого гелия, позволили установить величину порога лазерной генерации, который составил 50 W/cm$^{2}$. Полуширина лазерной линии при мощностях, превышающих пороговые, составляла 0.06 nm, что соответствует добротности 15000.