Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН

Исследовано влияние облучения реакторными нейтронами на скорость травления кристаллов карбида кремния в расплаве щелочи гидроксида калия. Показано, что при высоких дозах облучения (10$^{19}$–10$^{21}$ cm$^{-2}$) скорость травления карбида кремния резко возрастала, особенно в направлении [0001]Si, приводя к существенному уменьшению ориентационной анизотропии травления полярных граней. Повышенная скорость травления облученных кристаллов сохраняется после высокотемпературного отжига, вплоть до температур 1200–1400$^\circ$C. Результаты объяснены присутствием в кристаллах высокой концентрации радиационных дефектов, частично находящихся в виде кластеров.