Аннотация:
Исследованы амплитудно-частотные характеристики коэффициента пропускания СВЧ волноводного фотонного кристалла с нарушением периодичности при наличии плоского проводящего включения малых размеров, частично заполняющего поперечное сечение волновода, внутри нарушенного слоя в зависимости от его местоположения. Показано, что введение проводящего включения малых размеров внутрь нарушенного слоя фотонного кристалла приводит к частотному сдвигу дефектной моды в запрещенной зоне в сторону низких частот, при этом максимальный сдвиг наблюдается при расположении металлического включения на границе или в центре нарушения в зависимости от толщины нарушенного слоя.