Планаризация поверхности композиции “нанопористый диоксид кремния-диоксид титана” методом атомно-молекулярной химической сборки

Исследованы процессы, происходящие при планаризации поверхности нанопористого SiO$_{2}$ методом атомно-молекулярного наслаивания наноразмерных пленок TiO$_{2}$, в режимах, обеспечивающих различное проникновение TiO$_{2}$ в нанопоры SiO$_{2}$. Рассмотрены параметры технологического процесса, обеспечивающие различные режимы планаризации поверхности. Степень проникновения TiO$_{2}$ в нанопоры SiO$_{2}$ проконтролирована методом отражательной эллипсометрии путем измерения распределения показателя преломления по глубине структуры в рамках двуслойной модели.