С. А. Королев, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин, “Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах”, ЖТФ, 2017, том 87, выпуск 5,страницы 746

Эта публикация цитируется в 1 статье

Твердотельная электроника

Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах

С. А. Королев^a, Н. В. Востоков^ab, Н. В. Дьяконова^c, В. И. Шашкин^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Université Montpellier II, Montpellier, France

Аннотация: Теоретически исследованы детектирующие свойства полевого транзистора с пониженной высотой барьера Шоттки затвора. Рассмотрены различные схемы детектора. Найдены распределения напряжения и тока вдоль канала, входной импеданс транзистора, чувствительность и мощность эквивалентная шуму (NEP). Проанализировано влияние высоты барьера Шоттки затвора на перечисленные характеристики.

Поступила в редакцию: 28.03.2016
Исправленный вариант: 03.10.2016

DOI: 10.21883/JTF.2017.05.44449.1821