Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием

Сверхбыстрое – субнаносекундное переключение высоковольтного диодного обострителя импульсов из блокирующего в проводящее состояние производится путем приложения к нему импульса перенапряжения со скоростью нарастания $\sim$10$^{12}$ V/s в блокирующем направлении. Образующийся при этом ударно-ионизационный фронт производит заполнение электронно-дырочной плазмой базовой области диода, переводя его в проводящее состояние. При этом принципиально важно предотвратить возможность пробоя по поверхности диодной структуры при перенапряжении. В работе представлены первые результаты исследования принципиально новой конструкции диодного обострителя импульсов, позволяющей полностью исключить деградацию краевого контура при импульсном перенапряжении. Проведенные эксперименты подтвердили работоспособность этой конструкции и перспективность работ по выяснению ее предельных возможностей.