Влияние обработки поверхности в BCl$_{3}$ плазме на формирование омических контактов к структурам AlGaN/GaN

Установлен режим обработки поверхности верхнего прикрывающего слоя GaN (cap-слой) в AlGaN/GaN HEMT структурах плазмой BCl$_{3}$, позволяющий существенно снижать сопротивление омических контактов на структурах полевых транзисторов на основе нитридов III группы. Достигнутый результат объясняется главным образом эффективным уменьшением потенциального барьера на поверхности GaN за счет образования вакансий азота (донорные центры) и соответственно за счет роста поверхностной концентрации электронов.