Возможности двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования объемных характеристик полупроводниковых материалов

Hа примере кристаллов Zn–Se рассматриваются перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для создания “плоских” и “объемных карт” межзонной и примесной люминесценции в полупроводниковых материалах. Показана возможность формирования таких “карт” с шагом по глубине и пространственным разрешением по плоскости в несколько $\mu$m до расстояний от поверхности до 1 mm. C помощью этой методики выявлены люминесцентно-активные неоднородности в кристаллах и исследованы их структуры и люминесцентные характеристики. Обсуждены перспективы использования двухфотонной конфокальной микроскопии для исследования других прямозонных полупроводников и материалов 4-й группы.