Индуцированная подложкой запрещенная щель в спектре эпитаксиального бислоя графена

Показано, в что спектре двуслойного графена, сформированного на поверхности полупроводника, возможно открытие запрещенной зоны. Сделаны оценки величины щели для различных политипов SiC. Предсказанный эффект имеет важное значение для практического использования графена.