Аннотация:
Показано, что интеграл столкновений кинетического уравнения при взаимодействии горячих электронов с фононами может быть разбит на части, соответствующие упругим и неупругим столкновениям, причем величины этих частей могут существенно отличаться. Это справедливо, в частности, для электронов с энергиями порядка 1 eV, распространяющихся в полупроводниках. Различие характерных времен релаксации по импульсу и энергии позволяет разделить процессы угловой и энергетической релаксации. Если дифференциальное сечение упругого рассеяния зависит не от угла рассеяния, а от направлений падающего и рассеянного электронов, что реализуется, например, при взаимодействии электрона с пьезоэлектрическими колебаниями решетки в соединениях A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, то лапласиан в уравнении, описывающем пространственное и энергетическое распределения электронов, заменяется эллиптическим оператором, т. е. диффузия электронов оказывается анизотропной.