Аннотация:
Тонкие, толщиной $\sim$270 nm, нанокристаллические пленки оксида цинка (ZnO) были получены на кварцевых подложках методом ионного распыления и затем подвергнуты облучению ионами Ag$^{+}$ с энергией 30 keV с высокими дозами при трех значениях плотности ионного тока: 4, 8 и 12 $\mu$A/cm$^{2}$. Методами рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной микроскопии и оптической спектроскопии исследовано влияние дозы облучения и плотности ионного тока на модификацию структуры и оптических свойств пленок ZnO. Обнаружено нетривиальное поведение структурных и оптических параметров пленок от режимов ионного облучения, что связано с радиационным нагревом и распылением пленки под действием ионного пучка, процессами диффузии примеси и формирования наночастиц серебра в облученном слое при высоких дозах имплантации, а также диффузией имплантированной примеси при повышенных плотностях ионного тока.