Сеточное управление большими токами в цезиевом разряде с катодным пятном

Приведены результаты исследования плазменного ключа с полным сеточным управлением в разряде с катодным пятном на жидкометаллическом цезиевом катоде без диафрагмирования сетки. Отказ от уменьшения рабочей площади сетки по отношению к площади анода привел к росту коммутируемого анодного тока на порядок (до 20 А/cm$^{2}$ по площади анода) и значительному, до 100 V и более, увеличению коммутируемых напряжений. Использование катодной струи позволило на порядок снизить рабочие давления паров цезия (до $\sim$10$^{-3}$ Torr). Обсуждены результаты исследования особенностей сеточного гашения в таком ключе, позволившие определить возможные причины ограничения рабочих параметров ключа и наметить пути их дальнейшего повышения.