Аннотация:
Эпитаксиальные слои графена получены термодеструкцией поверхности полуизолирующей подложки SiC. Проведено исследование однородности плeнки методами рамановской спектроскопии и атомно-силовой микроскопии. На основе полученных плeнок изготовлен прототип газового сенсора. Показана чувствительность данного прибора к концентрации молекул NO$_{2}$ на уровне не хуже 5 ppb (одна частица на миллиард). Сделан вывод о возможности промышленного использования разработанного прибора.