Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников

Рассмотрены способы управления магниторезистивными параметрами магнитных металлических сверхрешеток, манганитов и магнитных полупроводников. Уменьшая толщину ферромагнитных слоев в сверхрешетках (например, слоев Fe в сверхрешетках Fe/Cr), можно формировать суперпарамагнитные кластерно-слоистые наноструктуры, магнитосопротивление которых слабо зависит от направления внешнего магнитного поля, что для практических приложений такого типа материалов весьма существенно. Создавая вакансии Mn и дополнительно отжигая манганиты лантана в атмосфере кислорода, можно увеличить их магнитосопротивление более чем в 10$^{4}$ раз. Изменяя толщину $p$–$n$-перехода в структуре из ферромагнитных полупроводников можно увеличить их магнитосопротивление на 2–3 порядка.