Статьи, опубликованные в английской версии журнала

Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions

G. G. Zegrya^a, V. P. Ulin^a, A. G. Zegrya^a, N. V. Ulin^a, V. M. Fraiman^a, Yu. M. Mikhailov<sup>b

a</sup> Ioffe Institute, 194021, St. Petersburg, Russia
^b Institute of Problems of Chemical Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow region

Язык публикации: английский

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2021, 66:2, 367

Реферативные базы данных:

•