Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного арсенида галлия

Показано, что при создании арсенидгаллиевых тиристоров необходимо учитывать особенности формирования области пространственного заряда высоковольтных $p{-}n$-переходов. С учетом этих особенностей изготовлены импульсные тиристоры с рабочим напряжением вплоть до 1300 В. Сделан вывод о том, что наиболее удобным методом контроля тиристорных структур на этапе изготовления является метод, основанный на наблюдении электрооптического эффекта при прохождении плоскополяризованного инфракрасного света. Обнаружен эффект перемещения области пространственного заряда коллекторного перехода при пропускании тока в цепи управления.