Определение доминирующего механизма сбоев в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера 0.18 $\mu$m при импульсном воздействии протонов низких энергий

Исследованы сбои во встроенном оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера, облучаемого импульсами протонов низких энергий. Рассмотрены особенности проведения эксперимента по облучению исследуемого образца на лазер-плазменном источнике. Представлены оценка линейных потерь энергии от прямой ионизации протонами чувствительного объема и расчет мощности поглощенной дозы с учетом структуры и химического состава кристалла исследуемого микроконтроллера. Проведено сопоставление результатов с ранее полученными данными по облучению тормозным излучением и анализ карт сбоев. Показано, что сбои в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера обусловлены одиночными радиационными эффектами.