Моделирование линии задержки на обменных спиновых волнах

Предложено новое инновационное устройство – миниатюрная управляемая линия задержки СВЧ сигнала на основе коротковолновых обменных спиновых волн (ОСВ). Линия задержки выполнена на основе трехслойной эпитаксиальной структуры диэлектрик-феррит-диэлектрик. Преобразование электромагнитного сигнала в ОСВ осуществляется в тонком переходном слое на границе диэлектрик-феррит. ОСВ распространяется в поперечном направлении слоя феррита и вновь преобразуется в электромагнитный сигнал в переходном слое на противоположной границе феррит-диэлектрик. Длительность задержки прошедшего сигнала определяется толщиной слоя феррита и может регулироваться внешним намагничивающим полем. Показано, что в трехслойной структуре на основе эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната, выращенных на подложке железоиттриевого граната (ЖИГ), длительность задержки СВЧ сигнала может достигать несколько десятков наносекунд при толщине слоя ЖИГ 100 mm.