Изменение сопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$ и гетероструктур Bi$_2$Se$_3$ на графене при растягивающих деформациях

Создание вертикальных гетероструктур Bi$_2$Se$_3$ на графене, полученных методом физического осаждения из газовой фазы, приводит не только к более совершенной структуре и проводимости слоя Bi$_2$Se$_3$, но и к улучшению механических свойств. Пленки Bi$_2$Se$_3$ с толщиной 20–40 nm на CVD-графене слабо меняли свое сопротивление при растягивающих деформациях, создаваемых при изгибе структур. Было установлено, что сопротивление возрастает всего на 20–30% при растяжении до 3.3%. При выращивании Bi$_2$Se$_3$ на слое напечатанного графена сформирована неоднородная по площади и толщине пленка Bi$_2$Se$_3$, трескающаяся при деформации более 1.5%.