Морфология слоев нанопористого германия, сформированных при имплантации ионами Cu$^+$, Ag$^+$ и Bi$^+$ различных энергий

Исследовано формирование тонких поверхностных аморфных слоев нанопористого Ge различной морфологи при высокодозовой ионной имплантации гладких монокристаллических подложек $c$-Ge в диапазоне энергий облучения 10–40 keV. Имплантация проведена ионами металлов различных масс при плотности тока в ионном пучке 5 $\mu$A/cm$^2$ и дозах 1.0 $\cdot$ 10$^{17}$ ($^{63}$Cu$^+$) и 5.0 $\cdot$ 10$^{16}$ ($^{108}$Ag$^+$, $^{209}$Bi$^+$) ion/cm$^2$. Анализ морфологии нанопористых структур выполнен методом высокоразрешающей сканирующей электронной микроскопии. Установлено, что при малых энергиях облучения 10–15 keV для относительно легких ионов $^{63}$Cu$^+$ и $^{108}$Ag$^+$ на поверхности $c$-Ge формируются разориентированные тонкие игольчатые нанообразования, а в случае $^{209}$Bi$^+$ образуется пористый слой, состоящий из плотно упакованных переплетающихся нанонитей. При высоких энергиях 30–40 keV морфология нанопористого Ge с увеличением массы внедряемого иона меняет свою форму последовательно от трехмерной сетчатой структуры до губчатой, состоящей из отдельных пространственно-разнесенных утонченных переплетающихся нанонитей.