Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов

Выполнены исследования в области постростовой технологии изготовления инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Исследованы различные методы текстурирования и просветления световыводящей поверхности диодов, разработана технология формирования оптических элементов. Проведен анализ взаимосвязи технологии формирования чипов и фотоэлектрических параметров светоизлучающих диодов: интенсивности электролюминесценции, оптической мощности и внешней квантовой эффективности. В результате применения проведенных разработок достигнуто двукратное увеличение оптической мощности диодов, которая составила > 400 mW при токе 800 mА.