Аннотация:
Представлены разработка, изготовление и исследование структур на основе туннельных переходов нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Произведен анализ морфологии трехслойной структуры Al/AlO$_x$/Nb методами просвечивающей электронной микроскопии, просвечивающей растровой электронной микроскопии и электронной дифракции. Для формирования туннельных переходов использована технология Selective Niobium Etching and Anodization Process. Достигнут параметр качества изготовленных структур – отношение $R_d/R_n$($V$ = 0)= 53 при температуре 2.8 K, теоретически ожидаемое значение составляет 54. Разработан дизайн структур из последовательно-параллельного электрического соединения пар туннельных контактов. Изготовлены интегральные структуры термометров, $dR/dT$ которых в 2.5, 5 и 12.5 раз больше, чем одиночного туннельного перехода.