RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2024, том 94, выпуск 7, страницы 1079–1086 (Mi jtf6809)

XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Физика низкоразмерных структур

Изготовление и исследование структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник Al/AlO$_x$/Nb

М. А. Маркинаab, А. М. Чекушкинa, М. А. Тарасовa, М. Ю. Фоминскийa, Т. Д. Пацаевc, А. Л. Васильевc

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", 109028 Москва, Россия
c Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, 59119333 Москва, Россия

Аннотация: Представлены разработка, изготовление и исследование структур на основе туннельных переходов нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Произведен анализ морфологии трехслойной структуры Al/AlO$_x$/Nb методами просвечивающей электронной микроскопии, просвечивающей растровой электронной микроскопии и электронной дифракции. Для формирования туннельных переходов использована технология Selective Niobium Etching and Anodization Process. Достигнут параметр качества изготовленных структур – отношение $R_d/R_n$($V$ = 0)= 53 при температуре 2.8 K, теоретически ожидаемое значение составляет 54. Разработан дизайн структур из последовательно-параллельного электрического соединения пар туннельных контактов. Изготовлены интегральные структуры термометров, $dR/dT$ которых в 2.5, 5 и 12.5 раз больше, чем одиночного туннельного перехода.

Ключевые слова: туннельный переход, нормальный металл-изолятор-сверхпроводник (НИС), цепочки НИС контактов, SNEAP (от англ. “Selective Niobium Etching and Anodization Process”), плазмохимическое травление, просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ).

DOI: 10.61011/JTF.2024.07.58343.169-24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024