И. П. Никитина, Е. В. Калинина, В. В. Забродский, “Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV”, ЖТФ, 2023, том 93, выпуск 4,страницы 562

Твердотельная электроника

Эффект геттерирования в Cr/4$H$-SiC УФ фотодетекторах при облучении протонами с энергией 15 MeV

И. П. Никитина, Е. В. Калинина, В. В. Забродский

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые предложен механизм преобразования структуры в Cr/4$H$-SiC ультрафиолетовых фотодетекторах, отвечающий за циклическое геттерирование радиационных дефектов, при многократном протонном облучении.

Ключевые слова: вакансии, кластеры, геттерирование.

Поступила в редакцию: 30.11.2022
Исправленный вариант: 17.01.2023
Принята в печать: 01.02.2023

DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55045.259-22