Измерение подвижности носителей заряда в образцах с низкой проводимостью методом полевого транзистора с использованием стоковых характеристик

При измерении подвижности носителей заряда методом полевого транзистора в материалах с низкой проводимостью, а также в полупроводниковых материалах с высокой плотностью ловушечных состояний, таких как нанокристаллы и поликристаллические пленки, результаты бывают сильно искажены из-за накопления заряда в транзисторной структуре. Проведено сравнительное исследование измерения подвижности носителей заряда в проводящих полимерах, нанокристаллах и поликристаллических пленках при помощи анализа стоковых и сток-затворных характеристик. Показано, что использование для расчета подвижности носителей заряда стоковых характеристик вместо сток-затворных характеристик помогает избежать систематической погрешности при измерении.