Влияние поля коронного разряда на формирование голографических дифракционных решеток в пленках As$_{40}$S$_{60-x}$Se$_x$

Исследовано влияние поля коронного разряда на голографическую запись и последующее химическое травление зарегистрированных дифракционных решеток в тонкопленочных структурах Cr/As$_{40}$S$_{60-x}$Se$_x$. Установлено, что приложение положительного коронного разряда приводит к увеличению голографической чувствительности пленок As–S–Se во время записи, а также повышению дифракционной эффективности как записанных, так и рельефно-фазовых дифракционных решеток, сформированных последующим химическим травлением. Среди исследованных пленок системы As$_{40}$S$_{60-x}$Se$_x$ наилучшие результаты при применении излучения аргонового лазера (488 nm) были получены для пленок As$_{40}$S$_{39}$Se$_{21}$. В этом случае применение коронного разряда привело к увеличению голографической чувствительности в 2 раза, а дифракционной эффективности более чем в 3 раза по сравнению с обычной записью. Соответственно повышение дифракционной эффективности рельефных дифракционных решеток, сформированных с помощью последующего химического травления, составило около 30%.