XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г. Физическая электроника
Особенности трансформации микрорельефа структур “кремний на изоляторе” при воздействии фотонных и корпускулярных излучений Б. А. Логинов a ,
Д. Ю. Блинников b ,
В. С. Второва b ,
В. В. Кириллова b ,
Е. А. Ляшко b ,
В. С. Макеев b ,
А. Р. Первых b ,
Н. Д. Абросимова c ,
И. Ю. Забавичев cd ,
А. С. Пузанов cd ,
Е. В. Волкова d ,
Е. А. Тарасова d ,
С. В. Оболенский cd a Московский государственный институт электронной техники (технический университет), 124498 Зеленоград, Москва, Россия b Образовательный центр "Сириус", 354349 Сочи, Россия c Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной
физики, филиал Российского федерального ядерного центра – Всероссийского научно-исследовательского института
экспериментальной физики "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова",
603950 Нижний Новгород, Россия d Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия Аннотация:
Приведены результаты исследований параметров микрорельефа и электрофизических характеристик структур “кремний на изоляторе” после воздействия гамма- и гамма-нейтронного излучения. Экспериментальные исследования проведены методами атомно-силовой микроскопии и псевдо-МДП транзистора. На основе полученных данных проведена оценка эффективного радиуса ядер кластеров радиационных дефектов.
Ключевые слова:
атомно-силовая микроскопия, кремний на изоляторе, “допороговое” дефектообразование, кластеры радиационных дефектов.
Поступила в редакцию: 04.05.2023
Исправленный вариант: 04.05.2023
Принята в печать: 04.05.2023
DOI:
10.21883/JTF.2023.07.55764.91-23
Реферативные базы данных:
© , 2025
Полный текст:
PDF файл (1321 kB)