Оптические свойства термического окисла на CuInSe$_{2}$

Методами лазерной эллипсометрии, оптического отражения и спектральных зависимостей фоточувствительности изучены свойства термического окисла, выращенного на тройном полупроводниковом материале GuInSe$_{2}$ при температурах $300{-}610^{\circ}$С и временах окисления ${5{-}5\cdot10^{2}}$ мин. Установлено образование на поверхности исходной подложки слоя In$_{2}$O$_{3}$, исследованы его однородность и динамика роста. Полученный слой может служить просветляющим интерференционным покрытием, что позволяет реализовать высокочувствительные гетеропереходы In$_{2}$O$_{3}$/CuInSe$_{2}$ с широкополосным или узкоселективным спектральным диапазоном фотоответа. Обнаружена тонкая структура в спектрах фотопроводимости окисленных кристаллов в глубине фундаментальной полосы поглощения CuInSe$_{2}$. Проанализирована стабильность тройного материала по сравнению с двойными халькогенидами меди.