Влияние площади контактов на мемристивные характеристики структур на основе парилена в одиночной и кроссбар-геометрии

Исследовано влияние площади и геометрии контактов на основные мемристивные характеристики структур на основе парилена. Показана независимость от площади контактов таких мемристивных характеристик, как напряжение переключений в низкоомное и высокоомное состояния, а также сопротивлений образцов в низкоомном состоянии. При этом сопротивления в высокоомном состоянии увеличиваются с уменьшением площади, что подтверждает однофиламентарную модель резистивных переключений, а также позволяет увеличить окно сопротивлений в таких структурах.