RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2023, том 93, выпуск 11, страницы 1616–1621 (Mi jtf7128)

Твердотельная электроника

Вихревые туннельные магнитные контакты с композитным свободным слоем

И. Ю. Пашенькинa, Е. В. Скороходовa, М. В. Сапожниковba, А. А. Фраерманa, Г. А. Кичинc, К. А. Звездинdc

a Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального исследовательского центра "Институт прикладной физики РАН", 603087 Нижний Новгород, Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Новые спинтронные технологии, Российский квантовый центр, Инновационный центр Сколково, 121205 Москва, Россия
d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Предложен новый метод создания туннельных магниторезистивных контактов CoFeB/MgO/CoFeB с вихревой конфигурацией намагниченности свободного слоя. Контакты изготовлены с применением методов электронной литографии и имеют латеральные размеры $\sim$ 700 nm. Достигнутая величина туннельного магниторезистивного эффекта составила 80–120% для разных образцов. Благодаря низкой коэрцитивности кривая магнетосопротивления имеет линейный участок без магнитного гистерезиса, соответствующий сдвигу вихря из центрального положения. Данные образцы контактов проявляют спин-трансферные диодные свойства – в них наблюдалось выпрямление высокочастотных сигналов на вихревых конфигурациях намагниченности.

Ключевые слова: магнитные туннельные контакты, спин-трансферный диодный эффект, вихревые спин-трансферные наноосцилляторы.

Поступила в редакцию: 07.07.2023
Исправленный вариант: 14.09.2023
Принята в печать: 25.09.2023

DOI: 10.61011/JTF.2023.11.56493.171-23



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025