Оптимизация частотных и статических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной рекомбинации в базовых областях

Для сокращения времени рассасывания избыточного заряда $n$-базы, вносящего основной вклад в длительность процесса выключения $p{-}n{-}p{-}n$ структуры, целесообразно уменьшать время жизни неосновных носителей заряда $\tau_{\text{ННЗ}}$ не во всем объеме баз, а только в приколлекторной области. В такой структуре прямые падения напряжения меньше, чем в случае однородного по объему снижения $\tau_{\text{ННЗ}}$ при одинаковом значении времени выключения. Создание ступенчатого профиля $\tau_{\text{ННЗ}}$ возможно путем облучения приборов рассеянным потоком высокоэнергетичных протонов. Исследовано влияние режимов облучения на характеристики силовых полупроводниковых приборов. Найдены условия получения оптимальных соотношений между прямыми падениями напряжения и временами выключения. Показаны преимущества такого метода повышения быстродействия полупроводниковых приборов.