Некоторые закономерности эмиссии молекулярных вторичных ионов вида Ga$_{n}$As$^{+}_{m}$

Рассмотрена эмиссия молекулярных вторичных ионов вида Ga$_{n}$As$^{+}_{m}$ выбиваемых пучком ионов аргона с энергией 2 кэВ и плотностью тока $0.6\,\text{мкА/см}^{2}$ из граней (100) и (111) арсенида галлия, а также из эпитаксиальной пленки Ga$_{x}$Al$_{1-x}$As$^{+}$, выращенной на грани (100) арсенида галлия. Показано, что относительная интенсивность масс-линий молекулярных ионов вида Ga$_{n}$As$^{+}_{m}$ практически совпадает для этих образцов. Из различия в топологии сеток поверхностных атомов граней (100) и (111), а также совпадения интенсивности соответствующих молекулярных ионов делается вывод, что в данном случае работает механизм не ассоциативного образования ионов из отдельных выбитых атомов, а вырывания их из решетки как целого. Обнаружено, что тенденции в изменении интенсивности масс-линий рядов GaAs$_{k-1}^{+}$ (${k=1}$, 2, 3) и Ga$_{2}$As$_{k-2}^{+}$ (${k=2}$, 3, 4), а также Ga$_{k-1}$As$^{+}$ (${k=2}$, 3, 4, 5) и Ga$_{k-2}$As$_{2}^{+}$ (${k=2}$, 3, 4) подобны для первой и второй пары, но резко отличается между двумя парами.