Аннотация:
В работе предложен новый подход для описания электронных и динамических свойств димеризованного состояния полиацетилена. По сравнению с хорошо известным и широко распространенным подходом, в котором димеризация обусловлена наличием $\pi$-электронов, в предлагаемой модели этот же эффект обеспечивается дополнительным потенциалом в динамической части гамильтониана. В обычно используемой вычислительной схеме для описания димеризации используется базис из $N$$\pi$-электронов на $N$ узлах так, что общее число уравнений классической и квантовой динамики приблизительно равно $N^2/2$. Шаг интегрирования обусловлен “быстрой” квантовой подсистемой и должен быть маленьким. Обе эти причины приводят к тому, что моделирование на больших временах и масштабах становится затруднительным. В предлогаемом подходе, в отличие от известной $N$-электронной модели, для описания димеризации решетки используется одноэлектронное приближение , когда единственный электрон занимает нижний уровень зоны проводимости. Таким образом число базисных функций уменьшается до $3N$, что позволяет проводить вычисления на больших масштабах и временах.